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系統識別號 U0026-2108202015455100
論文名稱(中文) 鹵化物鈣鈦礦製作非揮發性電阻式記憶體之研究
論文名稱(英文) Investigation of Memory Effect Behavior in Halide Perovskite Nonvolatile Resistive Memory Devices
校院名稱 成功大學
系所名稱(中) 微電子工程研究所
系所名稱(英) Institute of Microelectronics
學年度 108
學期 2
出版年 109
研究生(中文) 龔柏元
研究生(英文) Bo-Yuan Gong
學號 Q16071241
學位類別 碩士
語文別 英文
論文頁數 80頁
口試委員 指導教授-蘇炎坤
口試委員-莊文魁
口試委員-吳孟奇
口試委員-莊賦祥
口試委員-楊智強
中文關鍵字
學科別分類
論文目次
參考文獻
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