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系統識別號 U0026-1912201903501200
論文名稱(中文) 通過掌控CF4氣氛比例進而優化鍺與矽鍺之ICP蝕刻機制
論文名稱(英文) Optimize the ICP etching mechanism of germanium and silicon germanium by controlling the CF4 atmosphere ratio
校院名稱 成功大學
系所名稱(中) 電機工程學系
系所名稱(英) Department of Electrical Engineering
學年度 108
學期 1
出版年 108
研究生(中文) 詹長軒
研究生(英文) Chang-Syuan Jhan
學號 N26064040
學位類別 碩士
語文別 英文
論文頁數 60頁
口試委員 指導教授-李文熙
口試委員-李耀仁
口試委員-洪昭南
中文關鍵字
學科別分類
論文目次
參考文獻
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