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系統識別號 U0026-1807201814543500
論文名稱(中文) 研究以氧化物備製電容結構之電阻式記憶體
論文名稱(英文) Investigation of Oxide-Based Materials Applied to Resistive Random Access Memory with Structure of Capacitor
校院名稱 成功大學
系所名稱(中) 微電子工程研究所
系所名稱(英) Institute of Microelectronics
學年度 106
學期 2
出版年 107
研究生(中文) 林承翰
研究生(英文) Cheng-Han Lin
學號 Q16054095
學位類別 碩士
語文別 英文
論文頁數 139頁
口試委員 指導教授-張守進
口試委員-陳志方
口試委員-賴韋志
口試委員-許正良
口試委員-薛漢鼎
中文關鍵字
學科別分類
論文目次
參考文獻
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